Меню
Главная
Авторизация/Регистрация
 
Главная arrow Промышленность arrow Материалы электронной техники arrow
Материалы электронной техники

Материалы электронной техники



Типы химической связи, Особенности материалов электрон. техники Ковалентная связь. Ионная связь. Металлическая связь. Структура материалов Элементарные ячейки решеток Бравэ Кристаллографические индексы Миллера (кубич. структура). Кристаллографические индексы Миллера-Бравэ (гексаг. структура). Кристаллохимический анализ решёток. Способы представления сложных кристаллических структур. Описание элементарной ячейки решёткой Бравэ и базисом. Описание кристаллической структуры взаимопроникающими решётками Описание в терминах плотнейших упаковок Тетраэдрические и октаэдрические пустоты. Кристаллическая структура типа алмаз Кристаллическая структура типа сфалерит Кристаллическая структура типа вюрцит Классификация дефектов в кристаллах. Точечные дефекты. Линейные дефекты в кристаллах. Контур и вектор Бюргерса. Взаимодействие и перемещение дислокаций. Полные и частичные дислокации Взаимодействие дислкокаций с точечными дефектами. Зарождение дислокаций Наблюдение дислокаций Поверхностные дефекты Проводящие материалы Проводящая разводка ИС на основе Al Проводящая разводка ИС на основе меди. Выпрямляющие контакты металл-п/п Барьерные слои, конденсаторы, резисторы, контактные площадки ИС Разводка в корпусе ИС. Применение проводящих материалов на основе оксидов. Классификация полупроводниковых материалов Классификация легирующих примесей. Назначение лег-их примесей. Поведение легирующих примесей Применение кремния. Свойства кремния Получение монокристаллического кремния методом Чохральского. . Получение монокристаллического кренмния бестигельной зонной плавкой. Фоновые примеси в монокристаллическом кремнии. Микродефекты монокристаллического кремния. Современные тенденции развития производства полупрорводникового кремния. Применение поликристаллического кремния. Свойства поликристаллического кремния Применениеа-Si:Н. Модели структуры энергетических зон. Влияние легирования на проводимость а-Si:Н Метастабильностъ и релаксационные процессы вa-Si:Н. Методы формирования пленок неупорядоченных полупровод­ников. Классификация диэлектрических материалов Стекла. Строение стекол. Ситаллы или стеклокристаппические материалы- поликристаллические вещества, получаемый регулируемой кристаллизацией стекла. Функции пассивных диэлектриков в микроэлектронике.
 
Оригинал текста доступен для загрузки на странице содержания
След >
 

Предметы
Геология
Информатика
История
Культура. Искусство
Математика
Медицина
Механика
Политология. Социология
Право
Промышленность
Психология
Религия. Логика. Этика. Философия
Сельское хозяйство. Биология. Ветеринария.
Строительство
Физика
Финансы. Экономика
Химия
Экология
Электротехника
Языки
Прочее